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PRODUCT12位ADC OTP
| Part No. | IRC | VDD | ILRC | ROM | RAM | I/O | TIMER | STACK | ADC | PWM | E2 | Package | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS26P10 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 128 | 6/12/14 /16/18 |
2*8bit 1*16bit | 8 | (5+1)*12bit | 3*8bit | - | SOP8/SOP14 /SOP16/SOP18 /SOP20/DIP8 /DIP14/DIP16 /DIP18/DIP20 /TSSOP20 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS26P10是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 2K*16位片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 3個(gè)8位定時(shí)器： TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 四種振蕩模式 內置低速振蕩器32K 外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz 外置低速晶體振蕩器32.768KHz ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3組標準雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 6種可用中斷 4個(gè)內部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2個(gè)外部中斷：INT0，INT1 ◆ ADC 5個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS26P10E | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 128 | 6/14/16 | 2*8bit 1*16bit | 8 | (5+1)*12bit | 3*8bit | 256*8 | SOP8/SOP16 /SOP20 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS26P10E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 2K*16位片內ROM TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 四種振蕩模式 內置高速振蕩器16MHz 內置低速振蕩器32K 外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz 外置低速晶體振蕩器32.768KHz ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 4個(gè)內部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2個(gè)外部中斷：INT0，INT1 ◆ ADC 5個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS23P3022 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K | 128 | 6 | 2*8bit 1*16bit | 8 | (2+1)*12bit | 3*8bit | 256*8 | SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P3022是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 2K*16位片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 3個(gè)8位定時(shí)器： TC0：PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：PWM2/ Buzzer輸出 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 兩種振蕩模式 內置高速振蕩器16MHz 內置低速振蕩器32K ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3組標準雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 5種可用中斷 4個(gè)內部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 1個(gè)外部中斷：INT1 ◆ ADC 2個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS23P2721 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 96 | 6/8/12 | 4*8bit | 5 | (5+1)*12bit | 4*8bit | - | SOP8/MSOP10/ESSOP10/SOP14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P2721是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)12位的ADC，一個(gè)2K*16-bit的EPROM。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 2K*16位片內EPROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 4個(gè)8位定時(shí)器： TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 TC3：外部事件計數器/PWM3（PWM占空比可配置為1/256）。 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 兩種振蕩模式 內置高速振蕩器16MHz 內置低速振蕩器32K ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3組標準雙向I/O端口 ◆ 5級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 7種可用中斷 5個(gè)內部中斷：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ 2個(gè)外部中斷：INT0，INT1 ◆ ADC 5個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） ◆ 內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率，且頻率可通過(guò)寄存器軟件調節) 了解更多 |
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| HS23P2710 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 1K*16 | 96 | 4/6 | 4*8bit | 5 | (3+1)*12bit | 4*8bit | - | SOT23-6/SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P2710是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)12位的ADC，一個(gè)1K*16-bit的EPROM，一個(gè)256Byte的EEPROM。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 1K*16位片內EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 4個(gè)8位定時(shí)器： TC0：PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：PWM2/ Buzzer輸出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置為1/256）。 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 兩種振蕩模式 內置高速振蕩器16MHz 內置低速振蕩器32K ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3組標準雙向I/O端口 ◆ 5級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 5種可用中斷：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ ADC 3個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） ◆ 內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率，且頻率可通過(guò)寄存器軟件調節) 了解更多 |
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| HS23P2710E | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 1K*16 | 96 | 6 | 4*8bit | 5 | (3+1)*12bit | 4*8bit | 256*8 | SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)12位的ADC，一個(gè)1K*16-bit的EPROM，一個(gè)256Byte的EEPROM。 CPU特性：◆ 除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期 ◆ 1K*16位片內EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 4個(gè)8位定時(shí)器： TC0：PWM0/ Buzzer輸出。 TC1：PWM1/ Buzzer輸出。 TC2：PWM2/ Buzzer輸出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置為1/256）。 ◆ 內置上電復位，掉電復位 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT ◆ 內置可預分頻WDT ◆ 兩種振蕩模式 內置高速振蕩器16MHz 內置低速振蕩器32K ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3組標準雙向I/O端口 ◆ 5級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 5種可用中斷：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ADC 3個(gè)外部ADC輸入 1個(gè)內部電池檢測 內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V） ◆ 內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率，且頻率可通過(guò)寄存器軟件調節) 了解更多 |
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