HS26P10E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。

◆   除了跳轉指令2個(gè)指令周期外，其他指令都是一個(gè)指令周期

◆   2K*16位片內ROM
◆   可直接、間接尋址
◆   3個(gè)8位定時(shí)器：

                TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                TC1：外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                TC2：外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

◆  內置上電復位，掉電復位

◆  內置上電復位時(shí)間PWRT和振蕩器起振時(shí)間OSCT

◆  內置可預分頻WDT

◆  四種振蕩模式

               內置高速振蕩器16MHz

               內置低速振蕩器32K

               外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

               外置低速晶體振蕩器32.768KHz

◆  一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出
◆  128*8 bit SRAM
◆  3組標準雙向I/O端口
◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
◆  6種可用中斷

               4個(gè)內部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC

◆  2個(gè)外部中斷：INT0，INT1

◆  ADC

               5個(gè)外部ADC輸入

              1個(gè)內部電池檢測

              內部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V）