產(chǎn)品中心
PRODUCT學(xué)習型電路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | EEPROM | Key type | Package | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS23P4070 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 4K | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS23P35E | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 8K | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P35E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻）。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16-bit片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。 ◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT ◆ 內置WDT看門(mén)狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P36E | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 8K*16 | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P36E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻）。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16-bit片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。 ◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT ◆ 內置WDT看門(mén)狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P37E | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 8K | 512 | 13 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P37E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻）。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16-bit片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。 ◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT ◆ 內置WDT看門(mén)狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P46E | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 16K*16 | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P46E 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機，它內部包含一個(gè) 16K*16-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),一個(gè) 1K*8-bit 的 E2PROM,且內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V（8MHz、2 分頻） ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： ◆ 內置 RC 8MHz±1.5% ◆ 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16 位片內 ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1 個(gè) 16 位定時(shí)器，做 PWM、Buzzer 及外部計數時(shí) 8 位有效。 ◆ TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer 輸出。 ◆ 3 組標準雙向 I/O 端口 ◆ 8 級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 3 中可用中斷 ◆ 2 個(gè)內部中斷：TC0、T0 ◆ 4 個(gè)外部中斷：INT0，P0_P1，P5.0，P5.4 ◆ 一個(gè) 16 位基本定時(shí)器 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路（POR） ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P56E* | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 32K*16 | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS23P4030 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 4K | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P4030是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，和一個(gè)1K*8-bit的多次可編程電存儲器(MTP)，內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻），MTP燒寫(xiě)和擦除是電壓2.5v以上。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32 ◆ 4K*16-bit片內ROM ◆ 1K*8-bit片內MTP ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。 ◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT ◆ 內置WDT看門(mén)狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P4060 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 4K*16 | 512 | 14 | 1024*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS23P4060是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，和一個(gè)1K*8-bit的多次可編程電存儲器(MTP)，內置了紅外學(xué)習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻），MTP燒寫(xiě)和擦除是電壓2.5v以上。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32 ◆ 4K*16-bit片內ROM ◆ 1K*8-bit片內MTP ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。 ◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1 ◆ 內置上電復位時(shí)間PWRT ◆ 內置WDT看門(mén)狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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