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產(chǎn)品中心

學(xué)習型電路

HS23P46E

HS23P46E 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機,它內部包含一個(gè) 16K*16-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),一個(gè) 1K*8-bit 的 E2PROM,且內置了紅外學(xué)習電路。


產(chǎn)品概述

HS23P46E 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機,它內部包含一個(gè) 16K*16-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),一個(gè) 1K*8-bit 的 E2PROM,且內置了紅外學(xué)習電路。


產(chǎn)品詳情

◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V(8MHz、2 分頻) 

◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃ 

◆ 工作頻率范圍:

◆ 內置 RC 8MHz±1.5%  

◆ 系統時(shí)鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16  

◆ 16K*16 位片內 ROM 

◆ 可直接、間接尋址 

◆ 1 個(gè) 16 位定時(shí)器,做 PWM、Buzzer 及外部計數時(shí) 8 位有效。 

◆ TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer 輸出。 

◆ 3 組標準雙向 I/O 端口 

◆ 8 級用于子程序嵌套的堆棧 

◆ 3 中可用中斷 

◆ 2 個(gè)內部中斷:TC0、T0 

◆ 4 個(gè)外部中斷:INT0,P0_P1,P5.0,P5.4 

◆ 一個(gè) 16 位基本定時(shí)器 

◆ 內置紅外發(fā)射放大驅動(dòng)電路 

◆ 內部上電復位電路(POR) 

◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)


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