產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS3068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有ROM，HS3068提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 32*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成25個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成16個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS9068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有ROM，HS9068提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 32*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成25個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成16個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        該芯片采用 OTP 工藝制造，高性能、低功耗紅外發(fā)射電路，T-KEY 三角矩陣鍵盤(pán)，最多可組成 52 個(gè)按鍵。除了能實(shí)現 50 多種常用基本碼型外，還可實(shí)現一些特殊碼型。配合 HS9060P 開(kāi)發(fā)軟件及燒寫(xiě)器，可極大提高用戶(hù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)質(zhì)量，縮短開(kāi)發(fā)周期。

CPU特性：

        ◆ 低靜態(tài)電流：<2uA

        ◆ 工作電壓范圍寬：2.0V~3.6V

        ◆ 外部線(xiàn)路元器件少

        ◆ 支持內置或外接三極管驅動(dòng)發(fā)射頭

        ◆ 內置振蕩電路，誤差<=±1.5%

        ◆ 軟件編程容易，開(kāi)發(fā)效率高

        ◆ 發(fā)碼驅動(dòng) 500mA（3V0.2VDD）

        ◆ ESSSOP10 封裝

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS9064P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9064P提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成88(11*10/2+11+11+11)個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成36(6*5+6)個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（300mA~500mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS3000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS3000P提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成91個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成49(6*7+7)個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（300mA~500mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS9000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9000P提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成91個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成49(6*7+7)個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（300mA~500mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS2303-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~70℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成20(4*4+4)個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省電解電容可選。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        HS2313-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。

CPU特性：

        ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V

        ◆ 工作溫度范圍：0℃~70℃

        ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA

        ◆ 1K*14位片內ROM

        ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出

        ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2組雙向標準I/O端口

        ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

        ◆ 節能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令

        ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個(gè)按鍵

        ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成20(4*4+4)個(gè)按鍵

        ◆ 可以作為通用MCU使用

        ◆ 不可間接尋址

        ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

        ◆ 驅動(dòng)可選（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省電解電容可選。