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PRODUCT普通紅外型電路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | Keys | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS9100-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K*14 | 40 | 14 | 117(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS9100-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9100-T提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成117個(gè)按鍵 ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成49(6*7+7)個(gè)按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動(dòng)可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9110-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 2K*13 | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HS9110-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個(gè)2K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿(mǎn)足用戶(hù)要求，其中的保護位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9110-T提供給用戶(hù)一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA ◆ 2K*14位片內ROM ◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成91個(gè)按鍵 ◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成49(6*7+7)個(gè)按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動(dòng)可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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