HS23P1820 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 8 位單片機，它內建了 1K*14-bit 的 ROM、

64Byte 的 SRAM，包含 3 個(gè) 12 位 PWM，同時(shí)包含了可配置的端口比較器模塊。

◆ 42 條 RISC 指令，除了跳轉指令是兩個(gè)周期，所有的指令都是單周期

◆ 14 位寬指令，8 位寬數據路徑，5 級深度硬件堆棧

◆ 支持 GOTO 指令全 ROM 跳轉、支持全 ROM 子程序調用

◆ 1K×14 的程序存儲器

◆ 64 × 8 位通用寄存器

◆ 直接、間接尋址方式

◆ 擁有 1 個(gè)可編程預分頻器的 8 位實(shí)時(shí)時(shí)鐘器（TC0）

◆ 擁有 1 個(gè)可編程預分頻器的 12 位實(shí)時(shí)時(shí)鐘器（TP0）

◆ 可配置的端口比較器資源

◆ 內部上電復位電路（

POR）、內置欠壓復位（BOR）

◆ 上電復位定時(shí)器（

PWRT）和振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器（OST）

◆ 看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）使用內部晶振可靠性高，由軟件使能或禁止

◆ 1 組 I/O 口，可配置上拉、下拉和開(kāi)漏等狀態(tài)

◆ 4 種工作模式可任意切換：正常模式、低速模式、睡眠模式、綠色模式

◆ 喚醒睡眠：INT/INT1 管腳中斷、IOB 的輸入狀態(tài)改變、TC0 溢出喚醒、COMP 喚醒

◆ 喚醒綠色：INT/INT1 管腳中斷、IOB 的輸入狀態(tài)改變、TC0、TP0 溢出喚醒、COMP 喚醒

◆ 省電休眠模式，可編程代碼保護

◆ 可選的振蕩器選項：內部高速振蕩器、內部低速振蕩器、外部低速晶體振蕩器

◆ 6 種可用中斷：TC0 溢出中斷、IOB 端口變化中斷、INT/INT1 中斷、TP0 溢出中斷、

COMP 比較中斷

◆ 寬工作電壓范圍：2.2V 至 5.5V