HS23F2251是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3個(gè)12位PWM及3個(gè)8位PWM，同時(shí)包含了可配置的端口比較器模塊。

◆ 42條RISC指令，除了跳轉指令是兩個(gè)周期，所有的指令都是單周期

◆ 14位寬指令，8位寬數據路徑，5級深度硬件堆棧

◆ 支持GOTO指令全ROM跳轉、支持全ROM子程序調用

◆ 2K×14的程序存儲器

◆ 128 × 8位 EEPROM數據存儲區

◆ 128 × 8位通用寄存器，直接、間接尋址方式

◆ 擁有1個(gè)可編程預分頻器的8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計數器（TMR0）

◆ 擁有1個(gè)可編程預分頻器的12位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計數器（TP0）

◆ 擁有1個(gè)可編程預分頻器的16位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計數器（TC0）

◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

◆ 1組帶死區的12位PWM，可配置為3路12位PWM

◆ 可配置的端口比較器資源

◆ 內部上電復位電路（POR）、內置欠壓復位（BOR）

◆ 上電復位定時(shí)器（PWRT）和振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器（OST）

◆ 看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）使用內部晶振可靠性高，由軟件使能或禁止

◆ 2組I/O口，可配置上拉、下拉和開(kāi)漏等狀態(tài)

◆ 4種工作模式可任意切換：正常模式、低速模式、睡眠模式、綠色模式

◆ 喚醒睡眠：INT/INT1管腳中斷、IOB的輸入狀態(tài)改變、TC0溢出喚醒、COMP喚醒

◆ 喚醒綠色：INT/INT1管腳中斷、IOB的輸入狀態(tài)改變、TC0溢出喚醒、COMP喚醒、TP0溢出喚醒

◆ 省電休眠模式，可編程代碼保護

◆ 可選的振蕩器選項：內部高速振蕩器、內部低速振蕩器、外部低速晶體振蕩器

◆ 7種可用中斷：TMR0溢出中斷、TC0溢出中斷、IOB端口變化中斷、INT/INT1中斷、TP0溢出中斷、COMP比較中斷

◆ 寬工作電壓范圍：2.2V至5.5V